三安光电氮化镓,氮化镓龙头企业三安光电

　　1：三安光电是什么时候挂牌上市。。。发行价是多少。。。

　　三安光电股份有限公司
公司发行人前身沙市日用化工总厂，成立于1981年5月；1990年,被命名为国家一级企业。1992年3月28日，鄂改[92]48号文批准以沙市日用化工总厂为唯一发起,成立沙市活力28(集团)股份有 限公司，总股本5997.75万元，并于1993年4月12日在原沙市市工商行政管理局注册登记。
网上发行日期1996-5-14上市日期1996-5-28每股面值(元)1.000 发行量(万股)2000.00每股发行价(元)7.580

　　2：氮化镓材料一般会用在什么地方呢哪家企业有在做

　　氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
新型电子器件
GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。
光电器件
GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。
氮化镓龙头上市公司主要有海特高新、台基股份、亚光科技、三安光电、闻泰科技、士兰微、耐威科技、海陆重工、富满电子、云南锗业、有研新材、乾照光电等。股民可以通过券商、证券交易软件等渠道投资以上相关公司股票。

　　3：请问，氮化镓可以用来做半导体材料吗

　　三代半导体——氮化镓
氮化镓（GaN），是由氮和镓组成的一种半导体材料，因为其禁带宽度大于2.2eV,又被称为宽禁带半导体材料，在国内也称为第三代半导体材料。
氮化镓和其他半导体材料对比
上图中我们可以看到，氮化镓比硅禁带宽度大3倍，击穿场强高10倍，饱和电子迁移速度大3倍，热导率高2倍。这些性能提升带来一些的优势就是氮化镓比硅更适合做大功率高频的功率器件，同时体积还更小，功率密度还更大。
氮化镓的优异特性
就如这次小米的快充一样，使得小米65W氮化镓充电器的尺寸仅为56.3mm x 30.8mm x 30.8mm，体积比小米笔记本标配的65W适配器还减小了约48%，约为苹果61W快充充电器的三分之一。
为什么氮化镓快充头可以这么小巧功率还这么大
这就是得益于氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基，此外由于使用氮化镓芯片后还减少了周边的其他元件的使用，电容，电感，线圈等被动件比硅基方案少的多，进一步缩小的体积，所以本次看到的氮化镓快充头，不仅体积小巧，但是还能提供更强大的功率输出。
传统硅基功率器件和氮化镓MOS对比
除了快充，氮化镓还有其他什么重要应用
氮化镓材料，目前有三个比较重要的方向，分别是光电领域，包括我们现在常见的LED，以及激光雷达和VCSEL传感器；功率领域，各类电子电力器件应用在快充头，变频器，新能源汽车，消费电子等电子电力转换场景；射频领域，包括5G基站，军事雷达，低轨卫星，航天航空等领域。
为什么氮化镓快充电头这么贵
本次快充头中除了PD协议成本，其他硬件材料电容电感线圈电源管理IC等之外，相当一部分的成本来自于氮化镓MOS功率芯片。
制造氮化镓MOS的原材料就是氮化镓单晶片，目前单晶2英寸就高达2万多元一片。商业方案中较多的使用硅基氮化镓外延片，但是价格也非常高昂，8英寸的硅基氮化镓也超过1万的售价，而且产能不足，很难买到。硅基氮化镓是同面积的硅片的30多倍。
所以说过于昂贵的原材料导致了氮化镓芯片非常昂贵，最终传到到终端产品就看到高出普通充电头数倍的价格。
氮化镓材料为什么如此昂贵
氮化镓是自然界没有的物质，完全要靠人工合成。氮化镓没有液态，因此不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，纯靠气体反应合成。由于反应时间长，速度慢，反应副产物多，设备要求苛刻，技术异常复杂，产能极低，导致氮化镓单晶材料极其难得，因此2英寸售价便高达2万多。商业场景中，更多使用氮化镓异质外延片。
什么叫氮化镓异质外延片
在氮化镓单晶衬底上长氮化镓外延层我们称为同质外延，在其他衬底材料上长氮化镓我们称为异质外延片。
目前包括蓝宝石，碳化硅，硅等是氮化镓外延片主流的异质衬底材料。
其中蓝宝石基氮化镓外延片只能用来做LED；硅基氮化镓可以做功率器件和小功率的射频；碳化硅基本氮化镓可以制造大功率LED、功率器件和大功率射频芯片。
本次小米发售的快充头，就是硅基氮化镓做的功率器件的一个典型应用场景。
为什么同是外延片，应用差异这么大
氮化镓外延片的用来制造器件有很多具体的指标，包括晶格缺陷、径向偏差、电阻率、掺杂水平、表面粗糙度、翘曲度等，在不同的衬底材料长的外延层晶体质量差别较大。
其中氮化镓和3C碳化硅，有着非常接近的晶格体系，两者适配度非常高，超过95%，因此碳化硅衬底上长氮化镓外延，外延层质量非常好，可以用来做高端产品，包括大射频功率、大功率器件、大功率LED、激光雷达等。
硅和氮化镓晶体适配度非常低，不到83%，因此硅上无法直接长外延层。需要长多道缓冲层来过渡，因此外延层质量水平就比碳化硅基差不少，因此硅基氮化镓只能用来做小功率射频，中小功率器件。
蓝宝石基氮化镓，因为衬底材料的问题，无法应用到射频和功率领域，只能用作普通的LED灯。
虽然都是氮化镓外延片，但是由于衬底材料的不同，外延层晶体质量差异较大，应用也不尽相同。
蓝宝石片最便宜，硅基次之，碳化硅较贵，氮化镓最贵。

　　4：三安光电的大事记

　　2011年6月“中国LED行业年度评选(2010)”评选活动由中国电子报社、中国光协LED器件分会、中国光协LED显示应用分会等共同组织，范围涵盖所有LED外延、芯片、封装器件、应用工程等产业领域。三安光电凭借领先的创新水平、雄厚的技术力量、迅猛的发展速度和2010年的良好业绩，荣获“2010中国LED行业最具成长性企业奖”。
2011年4月公司用于“TFT-LCD背光源的超高亮度LED芯片”项目荣获2010年度厦门市科技进步奖一等奖，同时该项目产品“S-23ABMUP系列背光源用LED芯片”荣获2010年度厦门市优秀新产品奖一等奖。
为进一步加快三安光电品牌建设，提高公司影响力，受厦门市，厦门市贸发局，厦门市商业联合会邀请，三安光电于10月19日至10月24日期间参加了第七届中国-东盟博览会。
2010年9月27日，2010年三安光电新产品推介暨新闻发布会在深圳凯宾斯基酒店成功举行。本次推介会得到了行业内部的广泛关注，共有120多家客户代表前来参加。
2010年1月：安徽三安光电有限公司成立。
2009年11月：公司“RS-B1超高亮度功率红色发光二极管芯片”通过新产品专家鉴定，认定为属国内首创，产品主要性能达到国际水平。
2009年11月：我司“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目荣获厦门市科学技术奖二等奖。
2009年11月13日：我司功率型红色芯片通过新产品鉴定。
2009年9月：我司荣获TS16949：2002认证注册。
2009年8月：我司承担的“半导体照明器件研发及产业化”项目被信息产业部列入2009年信息产业发展基金重点支持项目。
2009年3月：我司承担的2006年度国家发改委企业技术进步与产业升级专项项目“功率型半导体全色系芯片产业化”通过验收。
2009年2月12日：我司的主要产品“S-RGB07全色系超高亮度LED芯片”荣获福建省优秀新产品一等奖。
2008年12月：天津三安光电有限公司成立。
2008年12月8日：我司承担的“用于TFT-LED背光源的超高亮度LED芯片产业化”项目被国家发改委列入2008年第四批产业技术研发资金高技术产业发展项目计划。
2008年11月：我司承担的“液晶显示屏背光源用超高亮度半导体红色发光二极管（LED）芯片研发及产业化” 项目被信息产业部列入2008年信息产业发展基金重点支持项目。
2008年10月：公司技术中心被授予“国家级企业技术中心”称号。
2008年8月：荣获ISO14001：2004环境管理体系认证证书。
2008年7月：公司在国内A股成功上市。
2008年1月：我司被厦门市人民授予“厦门市2007年度十佳工业企业”荣誉称号。
2007年11月：我司“S--RGB07全色系超高亮度(红、橙、黄、蓝、绿)LED芯片”产品通过厦门市经发局组织的新产品、新技术专家鉴定，鉴定结论认定我司拥有的“衬底转移的红光功率型LED”产品为国内首创，填补国内空白。
2007年10月：我司被国家发改委授予“国家高技术产业化示范工程”称号。
2007年3月：日本学者大川和宏博士受聘为我司技术顾问。
2006年12月：公司承担的“100lm/W功率型白光LED制造技术”项目被国家科技部确定为国家高技术研究发展计划（863计划）课题。
2006年11月：公司承担的“功率型半导体全色系芯片产业化”项目被国家发改委列入“国家2006年信息产业企业技术进步和产业升级专项项目”。
2006年7月：公司“功率型高亮度LED芯片及倒装技术”项目通过专家鉴定，鉴定结果为：产业化技术指标达到国内领先水平。
2006年5月：公司被国家人事部正式批准设立博士后科研工作站，开展博士后科研工作。
2006年4月：公司“氮化镓基发光二极管外延片和芯片的研制及产业化”项目通过专家鉴定。鉴定结果为：产业化规模达到国内最大，质量稳定可靠，技术指标达到国内领先。
2005年12月：公司“十五”国家科技攻关计划项目“半导体照明产业化技术开发”重大项目全面通过国家科技部组织的专家验收。
2005年11月：公司“氮化镓基发光二极管外延片及器件制备”项目被认定为厦门市高新技术成果转化项目。
2005年6月：公司“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发与产业化“项目被国家科技部列入2005年国家火炬计划项目。
2005年3月：公司“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目被列入2005年福建省十大重点投资项目。
2004年11月：“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目被国家信息产业部列入2005年信息产业基金重点支持项目。
2004年9月：公司荣为中国光电子器件协会副理事长单位。
2004年8月：公司技术中心被福建省经济贸易委员会授予“省级企业技术中心”称号。
2004年8月：多结化合物太阳电池通过中国航空科技集团公司上海空间电源研究所的测试和使用，填补了国内空白。
2004年2月：公司被确认为厦门市重点高新技术企业。
2003年10月：国家半导体照明产业联盟授予公司“半导体照明工程龙头企业”的称号。
2003年10月：公司在第十四届全国发明展览会上，《一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法》与《一种发光二极管外延结构》分别荣获发明银奖和铜奖。
2003年9月：公司研制出的具有我国独立知识产权的LED芯片，打破了过去LED芯片全部依靠进口的历史。
2003年9月：公司技术中心被授予“市级企业技术中心”称号。
2003年4月：公司承担的“氮化镓基发光二极管外延片和器件制备”项目，被列入国家发改委2003年光电子、新型元器件专项高技术产业化示范工程。
2003年2月：荣获ISO9001：2000质量管理体系认证证书。
2003年1月：公司通过全色系超高亮度LED芯片科技成果鉴定，成为国内首家实现全色系超高亮度发光二极管芯片的生产厂家。
2002年9月：公司第一片外延片成功问世。
2000年12月：公司被确认为厦门市高新技术企业。
三安光电40亿项目投建进程
2013年3月15日，三安光电发布公告，决定终止公司公开增发A股股票方案。
公告称，由于市场环境发生了变化，结合公司情况，经公司与保荐机构平安证券商议，决定终止公司本次公开增发A股股票方案，并向证监会申请撤回公司本次公开增发A股股票方案的申请文件。
但在公告中，三安光电并未提及此次增发方案的具体内容，更未提及此次募资计划投资项目。
中国产业洞察网数据显示2011年5月6日，三安光电公布公开增发不超过21000万股A股的方案，募集资金总额不超过80亿元（含发行费用），全部用于安徽三安光电有限公司芜湖光电产业化（二期）项目和安徽三安光电有限公司LED应用产品产业化项目，两项目合计总投资约为91.25亿元。其中芜湖二期为50亿元。
3个月后，三安光电再发公告称，根据证券监管部门审核反馈意见，对上述增发金额下调为总额不超过63亿元，拟投入芜湖二期的募集资金也缩水至40亿元尽管如此，该增发方案迟迟未有实质性进展。
扩张效果尚待市场检验
较之两年前，三安光电身处的LED上游产业愈发过剩，利润式微。有业内人士猜测，三安光电主动放弃增发募资、放缓新项目上马的举措，或许有这方面的考虑。
但王庆在采访中否认了上述猜测，他表示市场还有很大的空间。但芜湖二期的搁浅对公司将产生怎样的影响，王庆未予正面回答，称公司业绩将在财报中体现。
根据三安光电2012年年报，公司2012年实现营收33.63亿元，较之上年同比大增92.48%；实现净利8.10亿元，较之上年同比下降13.47%。另外，其主营业务LED毛利率为25.31%，同比下滑14.36%。
据其年报，安徽三安光电有限公司芜湖光电产业化 （一期）项目（以下简称芜湖一期）购置的MOCVD设备已投入生产，虽然获得了一定的经济效益，但由于大部分设备于2012年逐步投产，达到满产尚需一个过程，待产能完全释放，规模效应充分发挥，公司业绩将会逐步得到体现。而2013年一季度，三安光电净利同比下降18.77%。
赵飞表示，三安光电在国内LED外延片领域颇具实力，但当下产能过剩显现，盲目扩张恐暗藏风险。
前述业内人士表示，芜湖一期逐渐释放出来的产能对未来三安光电的业绩贡献将进一步增大，在尝到甜头之后，三安光电对芜湖二期的渴望亦在情理之中。

　　5：国内生产碳化硅的上市公司有那几家

　　碳化硅、超级电容器用碳基复合材料、碳小球三个项目的技术门槛都很高。包括天富热电在内，全球只有五家公司可以生产碳化硅。 国内进行此类产业先入的上市公司还有(000915)的山大华特,也值得密切关注。 其中天富热电能够自主生产

　　6：生产碳化硅的上市公司有哪些

　　碳化硅、超级电容器用碳基复合材料、碳小球三个项目的技术门槛都很高。包括天富热电在内，全球只有五家公司可以生产碳化硅。
国内进行此类产业先入的上市公司还有(000915)的山大华特,也值得密切关注。
其中天富热电能够自主生产