HBM霸主SK海力士产能版图再扩张：欲斥资近39亿美元在韩新建DRAM

　　AI芯片霸主英伟达的最核心HBM存储系统供应商SK海力士计划扩大人工智能基础设施的核心硬件组件——HBM存储系统等下一代动态随机存取存储芯片的产能。据了解，这家韩国存储芯片制造商计划投资约5.3万亿韩元，在韩国忠清北道的清州建造M15X晶圆厂，作为新的DRAM存储芯片大型生产基地。此前不久SK海力士宣布计划投资约40亿美元，在美国建立大型的芯片先进封装工厂。

　　这家总部位于韩国的存储巨头还打算投资约40亿美元，在美国印第安纳州西拉斐特建立大型的芯片先进封装工厂，力争扩张HBM存储产能以满足英伟达庞大需求，预计该先进封装厂将于2028年开始运营并初步投产。