三星定目标：2022年6月前全面开发出第六代、11nm1cDRAM芯片

　　三星已经设定了目标，即在今年 6 月前完成 11 纳米的第六代 1c DRAM 芯片的开发。据说该公司已经要求其研究人员停止或跳过 1b DRAM 的开发，这是一种 12 纳米芯片。

　　 三星希望找到一种方法，该公司在 1c DRAM 完成之前面临着巨大的开发压力，因为其在 1a DRAM 的量产方面落后于其两个竞争对手。

　　 内存工艺在 20nm 节点之后就有不同断代方法，之前用的是 1x、1y、1z，后来又有了 1a、1b、1c 工艺，不过三星、SK 海力士及美光三大内存巨头的实际工艺也不完全是这样，有时公布的还是数字 + nm 命名。