日本冲绳科学技术大学院大学：EUV光刻新突破

　　据其报告，该校设计了一种极紫外光刻技术，突破了半导体制造业的标准界限。此设计下的光刻设备能采用更小的 EUV 光源，功耗不到传统 EUV 光刻机的十分之一，可降低成本，并极大提高机器的可靠性与使用寿命。