三星电子欲开发全球首个3DDRAM，有望2025年问世

　　三星电子正在加快 3D DRAM 的研究和开发，这家半导体巨头已经开始加强相关团队建设，比如招聘人员。

　　 三星电子已经开始开发一种躺着堆叠单元的技术。这是与高带宽内存不同的概念，后者是通过将多个模具堆叠在一起产生的。

　　 此外，三星电子还在考虑增加 DRAM 晶体管的栅极和通道之间的接触面。这意味着三面接触的 FinFet 技术和四面接触的 Gate-all-around技术可以用于 DRAM 生产。当栅极和通道之间的接触面增加时，晶体管可以更精确地控制电流的流动。

　　 美光科技和 SK 海力士也在考虑开发 3D DRAM。美光提交了一份与三星电子不同的 3D DRAM 的专利申请。美光公司的方法是在不铺设单元的情况下改变晶体管和电容器的形状。Applied Materials 和 Lam Research 等全球半导体设备制造商也开始开发与 3D DRAM 有关的解决方案。

　　 然而，由于开发新材料的困难和物理限制，3D DRAM 的商业化还需要一些时间。业内人士预测，3D DRAM 将在 2025 年左右问世。