赛微电子：已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟

　　时表示，在GaN外延片方面，公司已具备6-8英寸GaN外延材料生长能力且技术成熟；在GaN器件设计方面，公司在技术、应用及需求方面也进行了迭代并实现销售。此前的关键问题是产能供应端受限，公司正通过各种措施努力缓解产能瓶颈问题。